![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 125w)
Dysk SSD Gigabyte AORUS Gen4 5000E 500GB M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 (5000/3800 MB/s) 3D TLC
Symbol:
AG450E500G-G
| Wpisz swój e-mail |
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 0 |
| Dostępność |
|
| Kod kreskowy | |
| EAN | 4719331849627 |
Zostaw telefon
Rodzina dysków: Gen4 5000E
Pojemność dysku: 500 GB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: PCIe NVMe 4.0 x4
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 3800 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 300.0
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: NVMe 1.4, NAND: 3D TLC NAND Flash, Dimension: 80 x 22 x 2,3 mm, Power Consumption (Active): Average : R : 4,0W / W : 4,0W, Power Consumption(Idle)(ASPT on): 20mW, Temperature (Operating): 0°C to 70°C, Temperature (Storage): -40°C to 85°C
Pojemność dysku: 500 GB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: PCIe NVMe 4.0 x4
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 3800 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 300.0
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: NVMe 1.4, NAND: 3D TLC NAND Flash, Dimension: 80 x 22 x 2,3 mm, Power Consumption (Active): Average : R : 4,0W / W : 4,0W, Power Consumption(Idle)(ASPT on): 20mW, Temperature (Operating): 0°C to 70°C, Temperature (Storage): -40°C to 85°C
Interfejs:
PCIe NVMe 4.0 x4
Pojemność dysku:
500 GB
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Technika zapisywania danych:
TLC
Prędkość odczytu (max):
5000 MB/s
Prędkość zapisu (max):
3800 MB/s
Rodzina dysków:
Gen4 5000E
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
300.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Typ kości pamięci:
3D NAND
Sklep internetowy na oprogramowaniu
