![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 125w)
Dysk SSD Gigabyte Gen3 2500E 1TB M.2 2280 NVMe PCIe 3.0 x4 (2400/1800 MB/s) 3D NAND
Symbol:
G325E1TB
| Wpisz swój e-mail |
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 0 |
| Dostępność |
|
| Kod kreskowy | |
| EAN | 4719331844387 |
Zostaw telefon
Rodzina dysków: Gen3 2500E
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: PCIe NVMe 3.0 x4
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 2400 MB/s
Prędkość zapisu (max): 1800 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 240.0
Odczyt losowy: 130000 IOPS
Zapis losowy: 350000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: NVMe 1.3, NAND: 3D NAND Flash, Dimension: 80 x 22 x 2,3 mm, Power Consumption (Active): Average : R : 2,67W / W : 3,20W, Power Consumption(Idle)(ASPT on): 30mW, Temperature (Operating): 0°C to 70°C, Temperature (Storage): -40°C to 85°C
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: PCIe NVMe 3.0 x4
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 2400 MB/s
Prędkość zapisu (max): 1800 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 240.0
Odczyt losowy: 130000 IOPS
Zapis losowy: 350000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: NVMe 1.3, NAND: 3D NAND Flash, Dimension: 80 x 22 x 2,3 mm, Power Consumption (Active): Average : R : 2,67W / W : 3,20W, Power Consumption(Idle)(ASPT on): 30mW, Temperature (Operating): 0°C to 70°C, Temperature (Storage): -40°C to 85°C
Interfejs:
PCIe NVMe 3.0 x4
Pojemność dysku:
1 TB
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max):
2400 MB/s
Prędkość zapisu (max):
1800 MB/s
Rodzina dysków:
Gen3 2500E
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
240.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
130000 IOPS
Zapis losowy:
350000 IOPS
Typ kości pamięci:
3D NAND
Sklep internetowy na oprogramowaniu
