![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 125w)
Dysk SSD HIKSEMI FUTURE eco 1TB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (5000/4600 MB/s) 3D TLC
Symbol:
HS-SSD-FUTURE Eco(STD)/1024G/PCIE4/WW
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 0 |
| Dostępność |
|
| Kod kreskowy | |
| EAN | 6974202725297 |
Zamówienie telefoniczne: 696339187
Zostaw telefon
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4600 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 1800.0
Odczyt losowy: 880000 IOPS
Zapis losowy: 880000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 1.7 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - 185°F)
Gwarancja producenta: 60
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4600 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 1800.0
Odczyt losowy: 880000 IOPS
Zapis losowy: 880000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 1.7 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Temperatura pracy: 0°C - 70°C (32°F - 158°F, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C (-40°F - 185°F)
Gwarancja producenta: 60
Gwarancja producenta:
60
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Pojemność dysku:
1 TB
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Technika zapisywania danych:
TLC
Prędkość odczytu (max):
5000 MB/s
Prędkość zapisu (max):
4600 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
2000000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
1800.0
Odczyt losowy:
880000 IOPS
Zapis losowy:
880000 IOPS
Typ kości pamięci:
3D NAND
Sklep internetowy na oprogramowaniu
