Wyprzedaż trwa!
Dysk SSD HIKSEMI FUTUREX 1TB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (7450/6600 MB/s) 3D TLC HS
Symbol:
HS-SSD-FUTUREX(STD)/1024G/PCIE4/WW
Opinie | |
Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
Cena przesyłki | 0 |
Dostępność | 36 szt. |
Kod kreskowy | |
EAN | 6974202728625 |
Zamówienie telefoniczne: 696339187
Zostaw telefon
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 7450 MB/s
Prędkość zapisu (max): 6600 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 1800.0
Odczyt losowy: 860000 IOPS
Zapis losowy: 670000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 3.92 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Wersja z radiatorem, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
Gwarancja producenta: 60
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max): 7450 MB/s
Prędkość zapisu (max): 6600 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 1800.0
Odczyt losowy: 860000 IOPS
Zapis losowy: 670000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 2000000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Maksymalny pobór prądu: 3.92 W, AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667, Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection, RAID5 & 6, Wersja z radiatorem, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
Gwarancja producenta: 60
Gwarancja producenta:
60
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Pojemność dysku:
1 TB
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Technika zapisywania danych:
TLC
Prędkość odczytu (max):
7450 MB/s
Prędkość zapisu (max):
6600 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
2000000 h
TBW (ang. Total Bytes Written):
1800.0
Odczyt losowy:
860000 IOPS
Zapis losowy:
670000 IOPS
Typ kości pamięci:
3D NAND