![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 125w)
Dysk SSD MSI SPATIUM M450 1TB PCIe 4.0 NVMe M.2 2280 (3600/3000 MB/s) 3D NAND
Symbol:
S78-440L920-P83 / S78-440L980-P83
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 0 |
| Dostępność |
|
| Kod kreskowy | |
| EAN | 4711377022484 |
Zamówienie telefoniczne: 696339187
Zostaw telefon
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 3600 MB/s
Prędkość zapisu (max): 3000 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 420000 IOPS
Zapis losowy: 550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Złącze: PCIe Gen4x4, NVMe 1.4, Wymiary: 80.00mm (L) x 22.00mm (W) x 2.15mm (H), Operating Temperatures: 0°C - 70°C, LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm, End to End Data Path Protection, APST (Autonomous Power State Transition), TCG Pyrite (Encryption, Data Security)
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 3600 MB/s
Prędkość zapisu (max): 3000 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 420000 IOPS
Zapis losowy: 550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Złącze: PCIe Gen4x4, NVMe 1.4, Wymiary: 80.00mm (L) x 22.00mm (W) x 2.15mm (H), Operating Temperatures: 0°C - 70°C, LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm, End to End Data Path Protection, APST (Autonomous Power State Transition), TCG Pyrite (Encryption, Data Security)
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Pojemność dysku:
1 TB
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max):
3600 MB/s
Prędkość zapisu (max):
3000 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
600.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
420000 IOPS
Zapis losowy:
550000 IOPS
Typ kości pamięci:
3D NAND
Sklep internetowy na oprogramowaniu
