![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 125w)
Dysk SSD Samsung 870 EVO 1TB 2,5" SATA3 (560/530) V-NAND 3bit TLC
Symbol:
MZ-77E1T0B/EU
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 0 |
| Dostępność |
|
| Kod kreskowy | |
| EAN | 8806090545917 |
Zamówienie telefoniczne: 696339187
Zostaw telefon
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: 2,5 cala
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: SATA
Prędkość odczytu (max): 560 MB/s
Prędkość zapisu (max): 530 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 98000 IOPS
Zapis losowy: 88000 IOPS
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Storage memory: Samsung V-NAND 3bit MLC, Obsługa TRIM; S.M.A.R.T; WWN; Device Sleep Mode, Power consumption: max 30mW, Wymiary: 100 x 69,85 x 6,8 mm, Waga: 45 g, Pamieć podręczna: Samsung 1 GB Low Power DDR4 SDRAM, Dopuszczalne napięcie: 5V ± 5%, Temperatura pracy: 0 - 70 ?, Odporność na wstrząsy: 1,500 G / 0,5 ms (fala półsinusoidalna)
Format dysku: 2,5 cala
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: SATA
Prędkość odczytu (max): 560 MB/s
Prędkość zapisu (max): 530 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 98000 IOPS
Zapis losowy: 88000 IOPS
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Storage memory: Samsung V-NAND 3bit MLC, Obsługa TRIM; S.M.A.R.T; WWN; Device Sleep Mode, Power consumption: max 30mW, Wymiary: 100 x 69,85 x 6,8 mm, Waga: 45 g, Pamieć podręczna: Samsung 1 GB Low Power DDR4 SDRAM, Dopuszczalne napięcie: 5V ± 5%, Temperatura pracy: 0 - 70 ?, Odporność na wstrząsy: 1,500 G / 0,5 ms (fala półsinusoidalna)
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Interfejs:
SATA
Pojemność dysku:
1 TB
Format dysku:
2,5 cala
Typ dysku:
SSD
Technika zapisywania danych:
MLC
Prędkość odczytu (max):
560 MB/s
Prędkość zapisu (max):
530 MB/s
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
600.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Odczyt losowy:
98000 IOPS
Zapis losowy:
88000 IOPS
Typ kości pamięci:
V-NAND
Sklep internetowy na oprogramowaniu
